Banc de gravure humide KOH/TMAH

Le banc de gravure humide KOH/TMAH est spécialement configuré pour la gravure chimique anisotrope du silicium à l'aide de solutions d'hydroxyde de potassium (KOH) ou d'hydroxyde de tétraméthylammonium (TMAH). Ces agents de gravure alcalins attaquent préférentiellement le silicium le long de plans cristallographiques précis (par ex. <100>), ce qui permet de créer des rainures en V, des tranchées et d'autres microstructures tridimensionnelles complexes de grande précision. Ce procédé est fondamental pour la fabrication de microsystèmes électromécaniques (MEMS), car il permet de réaliser des structures telles que des membranes, des micropoutres et des motifs élaborés aux angles de flancs contrôlés. La vitesse de gravure et la morphologie obtenue dépendent fortement de facteurs comme la concentration de l'agent de gravure, la température et l'orientation cristalline du silicium.